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光刻机发展路线图详解免费猫电阻表

发布时间:2020-02-17 13:37:23 来源:西蒙五金网

电子元器件频道讯:作为光刻工艺中最重要设备之一,光刻机一次次革命性的突破,使大模集成电路制造技术飞速向前发展。 了解提高光刻机性能的关键技术以及了解下一代光刻技术的发展情况是十分重要的。

光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。光刻(Photolithography) 意思是用光来制作一个图形(工艺);在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。光刻机是集成电路芯片制造的关键核心设备。光刻机是微电子装备的龙头,技术难度最高,单台成本最大。

光刻机发展路线图

光刻机三巨头

荷兰的ASML,日本的Nikon,Canon

光刻机重要评价指标

1、支持基片的尺寸范围,分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。

2、分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。

3、对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。

4、曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。

5、曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域,光源有汞灯,准分子激光器等。

光刻机的结构

整机光刻机包含:曝光系统(照明系统和投影物镜);工件台掩模台系统;自动对准系统;调焦调平测量系统;掩模传输系统;硅片传输系统;环境控制系统;整机框架及减振系统;整机控制系统;整机软件系统;光刻机整体结构。

注:文章内的所有配图皆为网络转载图片,侵权即删!

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